在顯示技術不斷迭代的浪潮中，MiP(Micro LED-in-Package)器件(無襯底芯片)顯示技術(下文簡稱：MiP)，正以其獨特的優勢和創新的架構，成為行業矚目的焦點。這項技術究竟有何魔力，能在眾多顯示技術中脫穎而出，甚至有望改寫行業規則?讓我們一探究竟。

　　解密MiP，芯片級封裝的革新密碼

　　MiP(Micro LED-In-Package)技術是一種芯片級的封裝技術，通過巨量轉移技術將剝離了襯底的Micro LED三色發光芯片固定在載板上，隨后封裝、切割，再進行檢測和混光。這一過程看似簡單，卻蘊含著巨大的技術突破。

圖1 MiP器件的外觀示意圖

　　與傳統 COB 技術相比，MiP 的芯片級板上封裝架構優勢顯著。借助多層半導體電路工藝，MiP 可放大焊盤及間距，大幅降低PCB電路板精度要求，提升生產良率。此外，MiP 融合 Micro LED 芯片高性能與 Mini LED 成熟工藝，實現 “Micro 芯片 + Mini 封裝” 的跨代兼容，在保障顯示性能的同時，降低 PCB 板制造與貼片難度，兼具工藝簡單、固晶直通率高、成本可控的優點。

　　技術創新：MiP的核心競爭力

　　MiP 器件的技術創新性，體現在多個維度，無論是封裝工藝、制造效率，還是顯示性能方面，都展現出較強的競爭力。

1.芯片級封裝與扇出架構創新

　　MiP采用扇出封裝技術(Fan-out)，通過重新布線放大Micro LED芯片引腳，讓焊盤尺寸更易于貼裝。這一創新設計直接降低了PCB基板精度要求(相比COB技術)。

　　2.巨量轉移與高效制造工藝

　　在制造效率上，MiP采用激光巨量轉移技術，每分鐘可實現數萬顆發光芯片的轉移，且精度可達±5μm，生產效率的明顯提高有可能降低單位制費成本。

　　3.顯示質量與可靠性提升

　　在顯示效果方面，MiP同樣表現出色。像素全測與分選技術確保了亮度、色溫一致性。黑膠填充工藝減少光串擾，搭配高透光硅膠，使光效得到明顯提升。另外，MiP所使用的Micro級發光芯片尺寸小于傳統COB芯片，黑區占比更高，能進一步提升面板墨色的黑度，帶來更加震撼的視覺體驗。

　　4.制造流程，精密協作的技術鏈條

　　MiP 器件的制造流程環環相扣：首先是巨量轉移，將 50 微米以下的 Micro LED 芯片轉移至載板形成陣列;接著進行扇出封裝，通過半導體工藝放大電極引腳;然后切割分選，將封裝后的載板切割成單顆分立器件并測試光電性能;最后利用固晶機轉移到 PCB 或玻璃基板，每一步都彰顯著技術的精密與嚴謹。

圖2  MiP器件的制造流程

　　發展挑戰：MiP技術產業化進程關鍵制約因素

　　盡管 MiP 技術優勢顯著，但當前也面臨著諸多挑戰。

　　1.目前對Micro LED的分bin難度較大、成本較高，且單顆MiP芯片中包含三顆LED晶片，難以保證同批次各顏色MiP芯片的亮度和光色一致。

　　2.兩道封裝工藝導致發光芯片所發出的色光從發光面到出光面經過三種不同的材質，折射和全反射增加，可能產生麻點現象。

圖3  MiP器件的屏體（麻點偏多）

　　3.封裝層增多使界面數量增加，不同材料膨脹系數不一致，受熱時界面應力容易失衡，可能導致封裝層分離，影響出光，出現大角度下暗亮現象。

　　4.MiP技術下的器件工藝相對復雜、設備精度要求高，目前整體成本也相對較高，量產良率亦有待提升，技術路線尚未完全成熟。

　　展望未來，MiP如何重塑顯示技術新圖景

　　盡管挑戰重重，MiP技術的應用前景卻十分廣闊。其覆蓋P0.4超微間距到P2.0常規間距，在虛擬拍攝、高端影院、可穿戴設備及透明顯示等高附加值領域已嶄露頭角。隨著上游芯片成本下降，MiP產品將逐步向家用顯示、車載屏幕等消費領域滲透。預計2025年后，產業鏈協同效應將加速顯現，綜合成本有望明顯下降，推動高端顯示市場規模不斷擴大。

圖4 雷曼P0.9 MiP箱體

　　結語：MiP，開啟LED顯示封裝技術新賽道

　　MiP技術憑借封裝架構革新和工藝整合，較好地平衡了微間距顯示的性能需求與產業化成本，無疑是LED顯示邁向超高清時代的有效技術路徑之一。隨著技術進步和產業鏈的完善，MiP將為我們帶來更清晰、更震撼、更優質的顯示體驗，開啟LED顯示封裝技術的新賽道。